Beneq TFS 200 專為學術和企業(yè)研發(fā)而設計，是一款用途廣泛的原子層沉積 （ALD） 平臺，可在真正的 ALD 模式下提供卓越的薄膜質量。
該系統(tǒng)的模塊化架構允許進行廣泛的升級，確保它可以隨著您的研究需求而發(fā)展，無論多么復雜。 Beneq TFS 200 支持在各種基板上沉積，包括晶圓、平面物體、多孔材料和具有高深寬比 （HAR） 功能的復雜 3D 結構，即使在最苛刻的應用中也能實現精確鍍膜。
先進的 PEALD 功能
Beneq TFS 200 標配直接和遠程等離子體增強原子層沉積 （PEALD）。利用電容耦合等離子體 （CCP） 源（行業(yè)標準），它有助于從研發(fā)到生產環(huán)境的平穩(wěn)過渡。該系統(tǒng)支持在最大 200 mm 的基板上進行 PEALD 工藝。
針對效率和精度進行了優(yōu)化
• 純 ALD 模式經過優(yōu)化，可實現快速、精確的薄膜生長
• HAR 功能適用于具有挑戰(zhàn)性的結構，例如通孔和多孔襯底
• 冷壁真空室內的熱壁反應室，可實現均勻的熱量分布和快速的腔室更換
• 全面的升級選項，滿足高級研究需求
• 裝載鎖、盒式裝載機和手套箱，用于在受控氣氛下快速傳輸基板
技術信息：
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產品 |
TFS 200型 |
TFS 500型 |
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尺 寸： |
1325毫米 x 600毫米 x 1298毫米（L*W*H） |
1800毫米 x 900毫米 x 2033毫米（L*W*H） |
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用 法： |
研究、生產 |
研究、生產 |
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集 成： |
裝載鎖、盒式裝載機、集群或手套箱 |
裝載鎖、盒式裝載機、集群或手套箱 |
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溫度范圍： |
25-500 °C |
25 – 500 °C |
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極低蒸氣 壓前驅體: |
是的 |
是的 |
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ALD 模式: |
熱原子層沉積、低流 HAR、流化床、遠程等離子體 ALD、直接等離子體原子層沉積 |
熱 ALD、遠程等離子體 ALD、直接等離子體 ALD |
示例應用：
• 用于阻擋應用的 Al2 O3 ALD
• 半導體應用中的 HfO2、SiO2 和 SiN ALD
• 用于光伏電池的 SnO2 ALD
• 用于超導體應用的 TiN 和 NbN ALD模塊
